金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。

　　当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比：

　　hνWhc/λW  λ hc/W=

　　 λ =(μm)

　　当入射光波长大于λ时，不论光强如何，以及照射时间多长，都不会有光电子产生。要用红外光（λ）发射电子，必须寻求低于（？）的低能阈值材料。

　　能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体，光电发射体在光电器件中常与阴极相联故称为光电阴极 。

　　反射系数大、吸收系数小、碰撞损失能量大、逸出功大－－适应对紫外灵敏的光电探测器。

　　光吸收系数大得多，散射能量损失小，量子效率比金属大得多－－光谱响应：可见光和近红外波段。

　　在一定的白光照射下，光电阴极的光电流与入射的白光光通量之比,也称白光灵敏度或积分灵敏度。

　　一般用插入不同的滤光片来获得不同的光谱范围，滤光片的透射比不同，它又分别称为蓝光灵敏度、红光灵敏度及红外灵敏。

　　阴极发射的光电子数 Ne(λ)与入射的光子数 Np(λ)之比，称为量子效率:

　　光电阴极中有一些电子的热能有可能大于光电阴极逸出功，因而可产生热电子发射。

　　不透明阴极通常较厚，光照射到阴极上，光电子从同一面发射出来，所以不透明光电阴极又称为反射型阴极

　　透射型阴极通常制作在透明介质上，光通过透明介质后入射到光电阴极上。光电子则从光电阴极的